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功率器件用6/8英寸碳化硅抛光衬底研发、中试项目

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房屋建筑工程
建设单位： 乾晶半导体（衢州）有限公司
行政区划 ：浙江省-衢州市

工程基本信息

参与单位及负责人

招投标 0

合同登记 0

施工图审 0

施工许可 1

竣工验收 0

竣工备案 0

工程基本信息

基本信息

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房屋建筑工程
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浙江省-衢州市
衢州智造新城东港片区（中片）H-09-1#地块
本项目拟用地 21.909亩，新建建筑面积19640.64平方米，新建中试和研发厂房、动力配套厂房及其他辅助设施用房，利用公司已掌握的6英寸碳化硅晶体生长和抛光衬底加工成套技术，通过购置碳化硅单晶炉、线切机、抛光机、外延炉等国内外先进成套设备，形成功率器件用6/8英寸碳化硅晶体生长，抛光衬底和外延片研发能力，以满足双碳战略下，我国
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2023-07-22
2024-08-11
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参与单位及相关负责人

序号
企业名称
企业角色
企业统一社会信用代码
负责人姓名
1
乾晶半导体（衢州）有限公司
建设单位
91330800MAC13QPA8P
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2
湖南中核岩土工程有限责任公司
勘察
91430105395923642L
周义
3
奥福科技有限公司
设计
911101051011942112
王永
4
中国电子系统工程第二建设有限公司
施工
91320200134757148J
张春辉
5
上海电子工程设计研究院有限公司
设计
913101204250078656
孔凌冉
6
浙江恒超工程管理有限公司
监理
91331081716110205N
李会娟

单体信息

招投标 0

合同登记 0

施工图审 0

施工许可 1

序号
施工企业
监理企业
合同金额（万元）
面积（平方米）
发证日期
数据等级
详情
1
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9020
19101.5
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竣工验收 0

竣工备案 0

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